Полевой-транзистор (FET) – это полупроводниковое устройство, которое использует эффект электрического поля входной цепи для управления током в выходной цепи, отсюда и его название.
Поскольку он проводит электричество исключительно через основные носители в полупроводнике, его также называют униполярным транзистором. FET означает полевой транзистор. Существует два основных типа: переходные полевые-транзисторы (JFET) и металлические-оксидные-полупроводниковые полевые-транзисторы (MOSFET). Поскольку он проводит электричество исключительно через основные носители в полупроводнике, его также называют униполярным транзистором. Это полупроводниковое устройство,-управляемое напряжением. Он имеет такие преимущества, как высокое входное сопротивление (10⁷–10¹⁵ Ом), низкий уровень шума, низкое энергопотребление, широкий динамический диапазон, простота интеграции, отсутствие вторичного пробоя и широкая безопасная рабочая зона. Он стал сильным конкурентом биполярным транзисторам и силовым транзисторам.
Полевой-транзистор (FET) – это полупроводниковое устройство, которое использует эффект электрического поля входной цепи для управления током в выходной цепи, отсюда и его название.
Поскольку он проводит электричество исключительно через основные носители в полупроводнике, его также называют униполярным транзистором.
FET означает полевой транзистор, сокращенно FET.
